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最近的報道表明，中芯國際位于上海的子公司 Semiconductor Manufacturing South Corp.（中芯南方）繼續(xù)提供制造服務(wù)。
中國領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商北方華創(chuàng)科技集團(tuán)在 2023 年前五個月的訂單超出預(yù)期，據(jù)報道中芯南方是最大的買家。中芯國際和北方華創(chuàng)均未就此事發(fā)表正式評論。在其投資者關(guān)系平臺上，北方華創(chuàng)僅表示目前訂單充足，預(yù)計 2023 年二季度繼續(xù)增長。
據(jù)媒體報道，這家中芯國際子公司的投資者包括國家集成電路基金和上海集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金。科創(chuàng)板報道稱，2020 年國家集成電路基金二期向公司注資約 100 億元，國家集成電路基金一期和二期合計持有南方中芯 37.64% 的股份。上海集成電路產(chǎn)業(yè)基金合計持股 23.85%。
中芯國際是世界領(lǐng)先的集成電路晶圓代工企業(yè)之一，工藝平臺包含先進(jìn)邏輯平臺、成熟邏輯平臺以及特殊工藝平臺，向全球客戶提供 0.35μm 到 FinFET 不同技術(shù)節(jié)點的晶圓代工與技術(shù)服務(wù)。公司 2022 全年營收 495.2 億元（YoY+39%），毛利率為 38.3%（YoY+9pct），歸母凈利潤 121.3 億元（YoY+13.0%），均創(chuàng)歷史新高。2022 年公司銷售的約當(dāng) 8 英寸晶圓數(shù)量為 709.8 萬片，同比增加 5.2%。從收入結(jié)構(gòu)看，2022 年智能手機(jī)、智能家居、消費(fèi)電子及其他收入占比分別為 27.0%、14.1%、23.0% 和 35.5%；按照晶圓尺寸分類，8 英寸、12 英寸收入占比分別為 33.0%、67.0%。
2021 年 8 月 6 日上午，中芯國際聯(lián)合首席執(zhí)行官趙海軍在二季度電話會議上表示，「我們的 FinFET 工藝已經(jīng)達(dá)產(chǎn)，每月 1.5 萬片，客戶多樣化，不同的產(chǎn)品平臺都導(dǎo)入了。(這部分) 產(chǎn)能處于緊俏狀態(tài)，客戶不斷進(jìn)來。」
東吳證券研究所報告寫道，中芯國際目前 SN1（即中芯南方上海 FinFET 工廠一期）為 14nm 制程主要承載主體，盡管目前 SMIC 先進(jìn)制程發(fā)展受制于美國實體清單等因素影響，但中芯南方在資本投入方面擁有長期規(guī)劃，并且在人才與技術(shù)上相較其他中國大陸廠家具有一定優(yōu)勢，擁有豐富的客戶資源和應(yīng)用平臺，長期發(fā)展向好。
1998 年，美國國防部高級研究項目局（DARPA）出資贊助胡正明教授在加州大學(xué)帶領(lǐng)一個研究小組研究 CMOS 工藝技術(shù)如何拓展到 25nm 領(lǐng)域。胡正明教授在 3 維結(jié)構(gòu)的 MOS 晶體管與雙柵 MOSFET 結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上進(jìn)一步提出了自對準(zhǔn)的雙柵 MOSFET 結(jié)構(gòu)，因為該晶體管的形狀類似魚鰭，所以稱為 FinFET 晶體管。1998 年，胡正明教授及其團(tuán)隊成員成功制造出第一個 n 型 FinFET，它的柵長度只有 17nm，溝道寬度 20nm，鰭（Fin）的高度 50nm。1999 年，胡正明教授及其團(tuán)隊成員成功制造出第一個 p 型 FinFET，它的柵長度只有 18nm，溝道寬度 15nm，鰭的高度 50nm。胡正明教授除了提出 FinFET 晶體管，還在 PD-SOI 的基礎(chǔ)上提出了 UTB-SOI 晶體管。2000 年，胡正明教授及其團(tuán)隊發(fā)表了 FinFET 和 UTB-SOI 的技術(shù)文章，同年，胡正明教授憑借 FinFET 獲得美國國防部高級研究項目局最杰出技術(shù)成就獎。
圖 2 體 FinFET 和 SOI FinFET 晶體管立體圖
2001 年，15nm FinFET 被制造出來，它的柵長度只有 20nm，溝道寬度 10nm，柵介質(zhì)層的電性厚度 2.1nm。
2002 年，10nm FinFET 被制造出來，它的柵長度只有 10nm，溝道寬度 12nm，柵介質(zhì)層的電性厚度 1.7nm。
2004 年，HKMG FinFET 被制造出來，它的柵長度只有 50nm，溝道寬度 60nm，柵介質(zhì)層高 K 材料是 HfO2，功函數(shù)材料是鉬（Mo）。
2009 年，法國 Soitec 公司推出了可以實現(xiàn) UTB-SOI 技術(shù)的 12in（300mm）的 SOI 晶圓樣品，這些晶圓的原始硅頂層薄膜厚度只有 12nm，需要經(jīng)過處理去掉 6nm 厚度的硅膜，最后便可得到 6nm 厚度的硅膜，這便為 UTB-SOI 技術(shù)的實用化鋪平了道路。
2011 年，Intel 公司宣布推出 22nm FinFET 工藝技術(shù)，它的晶體管結(jié)構(gòu)與早期 Hisamoto 研發(fā)的 Delta FET 非常類似，它依然采用阱隔離技術(shù)而不是局部氧化隔離。Intel 22nm FinFET 的立體圖，左邊是利用很薄的鰭構(gòu)成單個器件，右邊利用兩條很薄的指狀的鰭構(gòu)成一個器件，目的是增大 FinFET 的寬度，從而提高晶體管的速度。
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