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      中國科學院院士、中國科學院黨組書記白春禮于4月13日訪問長春光機所，調研EUV光源等技術，高度肯定光電關鍵核心技術攻關成果。國產光刻機獲重大突破，這次官方證實我國研發EUV光源系統具有重要意義。可以推測，長春光機所的EUV系統已達可用級別，不是半成品，打破市場預測。

       ASML首席執行官溫克寧不滿地表示：“中國制造光刻機是在破壞全球產業鏈。”問題是，EUV光刻技術突破意味著什么？ASML為何反應激烈？

      在討論光刻機之前，我們應了解芯片的關鍵性。沒有芯片，將無法實現所謂“夢想”。芯片是未來科技和經濟的基石，影響國家、社會未來發展，甚至改變全球格局。從手機、電腦、電視到汽車，芯片廣泛應用。

中國以前無法在10年內制造EUV光刻機，甚至遭到ASML威脅，但預計2025年將推出樣機，2030年實現量產，解決7nm、5nm芯片問題，挑戰ASML的市場主導地位。

美國為了打壓我國芯片產業，犧牲自身利益，但芯片產業鏈巨大，包括設計、制造、封裝、架構、材料、設備、EDA工具等。中國芯片產業的瓶頸在設備端，特別是光刻機。

7nm以下芯片更多晶體管、性能更強、能耗更低，關鍵是增益更高，各國的芯片競爭重點。7nm以下芯片制造關鍵在EUV光刻機，如沒有將是空中樓閣。

目前，EUV光刻機只由荷蘭的ASML制造，年產量約35臺，分配給臺積電、三星、英特爾等公司。全球只有臺積電、三星能代工7nm以下芯片，中國的中芯國際因設備問題止步于14nm。

EUV技術極其復雜，高能耗，零部件和材料制造等多方面極具挑戰。光線必須在真空環境中傳輸，機械精確度要達到皮秒級，光學透鏡平整度達到皮米級。

中國開展了光刻機自主研發，2000年開始，我國團隊參觀ASML，遭到嘲笑。2007年上海微電子制造出首臺國產光刻機，ASML態度改變，但中國芯片制造迅速發展，ASML表示愿意支持并提供技術與設備，甚至EUV光刻機。

然而，當中國取得EUV光刻機突破時，ASML急了，擔心破壞全球產業鏈。20多年過去，中國已量產90nm光刻機，交付了28nm光刻機樣機，EUV光刻機正在緊張攻關，已取得重大進展。

長春光機所克服了反射鏡技術問題，雙工作臺精度達到5nm，EUV光源系統有重大突破，2025年，國產芯片可達70%資產率，國產EUV光刻機將問世，2030年實現全面量產，生產4nm芯片。這突破將讓ASML不安。

雖然技術攻克還有路要走，但中國具備突破EUV光刻機核心技術的實力，2025年國產EUV光刻機有望面世。2030年，國產芯片將徹底擺脫“卡脖子”，ASML和臺積電或被撼動，全球芯片制造商將受到沖擊。

或許有人質疑，但仔細思考，中國已經嶄露頭角，全球第二大經濟體，軍事實力世界第二，科技實力迅速增長，擁有5G、高鐵、空間站、洲際導彈、衛星導航、芯片、操作系統、鋰電池、月球、火星探測等高科技。中美之外，哪個國家做得到？

ASML研發9年，研發團隊不到200人，工時不多，我們則工人眾多，工時長，效率更高，3至5年可完成。中國每年投入巨資，畢業生數量龐大，為什么不能完成成熟設備？

當然，我們制造EUV光刻機并非要取代ASML，而是為了滿足自身需求，推動全球光刻機技術發展，繼續前進，克服老美的封鎖，困難將更大，代價更高。然而，國內的“精日”、“精美”分子不見得支持，總是傳播消極信息，損害國人士氣。事實上，老美的封鎖不利于我們，中國發展在自家土地，如何能有錯？支持國產芯片，加速技術攻關，讓ASML更為擔憂，老美更寂寞。