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臺積電前副總裁 Burn J. Lin 在一次罕見的采訪中對記者表示，中國的中芯國際和華為在芯片技術方面遙遙領先，無視美國旨在遏制其技術進步的限制。 他相信中芯國際已經擁有的ASML光刻工具將使該公司能夠推進到5納米級制造工藝。

林告訴記者：“美國不可能完全阻止中國改進其芯片技術。”

盡管美國通過制裁施加技術限制，中芯國際通過開發第二代7納米級制造工藝，展現了顯著的韌性和獨創性。 它還實現了足夠高的產量，足以讓華為制定供應 7000 萬部智能手機的計劃。 據稱，中芯國際使用了 ASML 的 Twinscan NXT:2000i 光刻工具，這是一種深紫外 (DUV) 光刻掃描儀，可以生產采用 7 納米和 5 納米級工藝技術的芯片。 今年早些時候，荷蘭政府限制了該工具向中國的出口。

Twinscan NXT:2000i 的分辨率（≤38nm）足以滿足 7nm 級單圖案光刻批量生產的需要。 然而，當涉及到5nm級工藝技術時，需要更精細的分辨率。 為了生產它，芯片制造商可以使用雙重、三重甚至四重圖案化，這是一種光刻技術，涉及將復雜圖案分成幾個更簡單的圖案，然后按順序印刷這些圖案，以在半導體制造中實現更高的精度和細節。 多重圖案化的使用是一個棘手的過程，會影響產量以及每個晶圓上可使用的芯片數量，因此通常由于經濟原因其使用受到限制。

但受限于其已有的工具，中芯國際別無選擇，只能使用多重圖案化來獲得更精細的分辨率。 顯然，它已經達到了華為可以接受的良率。 由此，人們不禁要問，美國政府對中國半導體行業的限制是否有效？

“美國真正應該做的是專注于保持其芯片設計領先地位，而不是試圖限制中國的進步，這是徒勞的，因為中國正在采取舉國戰略來發展其芯片產業。” 據報道，臺積電研發副總裁林表示。

有趣的是，美國的制裁似乎無意中為中芯國際打開了機會之門。 對臺積電施加的限制，禁止其與某些中國實體進行交易，使得中芯國際得以介入并獲得大量訂單。 這一轉變有利于中芯國際制造技術和技術能力的提升。