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外媒 eNewsEurope 報道，英特爾 (Intel) 和臺積電將在國際電子元件會議 (IEDM) 公布垂直堆疊式 (CFET) 場效晶體管進展，使 CFET 成為十年內最可能接替閘極全環電晶 (GAA ) 晶體管的下一代先進制程。

英特爾的 GAA 設計堆疊式 CFET 晶體管架構是在 imec 的幫助下開發的，設計旨在增加晶體管密度，通過將 n 和 p 兩種 MOS 器件相互堆疊在一起，并允許堆疊 8 個納米片（RibbonFET 使用的 4 個納米片的兩倍）來實現更高的密度。目前，英特爾正在研究兩種類型的 CFET，包括單片式和順序式，但尚未確定最終采用哪一種，或者是否還會有其他類型的設計出現，未來應該會有更多細節信息公布。

此前在 2021 年的「英特爾加速創新：制程工藝和封裝技術線上發布會」上，英特爾已經確認了 RibbonFET 將成歷史，在其 20A 工藝上，將引入采用 Gate All Around（GAA）設計的 RibbonFET 晶體管架構，以取代自 2011 年推出的 FinFET 晶體管架構。新技術將加快了晶體管開關速度，同時實現與多鰭結構相同的驅動電流，但占用的空間更小。

雖然，大多數早期研究以學術界為主，但英特爾和臺積電等半導體企業現在已經開始這一領域的研發，借此積極探索這種下一代先進晶體管技術。

英特爾表示，研究員建構一個單片 3D CFET，含三個 n-FET 納米片，層疊在三個 p-FET 納米片上，保持 30 納米垂直間隙，取名為采用電源通孔和直接背面元件觸點 60 納米閘極間距堆疊式 CMOS 逆變器示范，描述 60 納米閘極間距利用 CFET 功能逆變器測試電路。采垂直分層雙電源漏外延和雙金屬閘極堆疊，結合 PowerVia 背后供電。

為了不被對手超越，臺積電也會展示如何達成 CFET。此為客制邏輯芯片，有 48 納米柵極間距，專注放在 p 型晶體管上的分層 n 型納米片晶體管，擁有跨越六個等級的卓越開關電流比。

臺積電 CFET 晶體管已證明耐用性超過 90%，且成功通過測試。雖然臺積電承認需要研究更多，才能充分利用 CFET 技術，但是實現 CFET 晶體管技術的關鍵。CFET 明顯轉變晶體管設計，允許垂直堆疊兩個晶體管安裝至一個晶體管面積內，增加晶體管密度，且不僅為提高空間使用提供解決方案，還促進更精簡 CMOS 邏輯電路布局，有利提高設計效率。

CFET 既有結構可能會減少寄生效應，逐漸提高性能和功率效率。結合適應性設計與背面供電等創新，可簡化制程復雜性，使 CFET 成為晶體管領域愿景。英特爾和臺積電的努力，也突顯 CFET 技術對半導體產業未來的重要性。

復旦大學研發出異質 CFET 技術

復旦大學研究團隊：周鵬教授、包文中研究員及萬景研究員，創新地提出了硅基二維異質集成疊層晶體管。該技術將新型二維原子晶體引入傳統的硅基芯片制造流程，繞過 EUV 光刻工藝，實現了晶圓級異質 CFET 技術。

該團隊利用硅基集成電路的成熟后端工藝，將二硫化鉬 (MoS2) 三維堆疊在傳統的硅基芯片上，形成 p 型硅-n 型二硫化鉬的異質互補 CFET 結構。結果證明，在相同的工藝節點下實現了器件集成密度翻倍，并獲得了卓越的電學性能。

簡單來說，就是該團隊研發出的異質 CFET 技術，是設計了一種晶圓級硅基二維互補疊層晶體管，不需要用到 EUV，也可以實現晶體管密度翻倍。

隨著芯片工藝制程不斷進步，就需要尺寸更小、功能更強大的晶體管，同時，會讓制程微縮到一定程度，原本的晶體管技術就會出現靜電、漏電問題。因此，晶體管技術也隨著工藝迭代加快升級，而升級的重點在于提升靜電性能、控制漏電流。

比如，22nm 工藝之后，FinFET 取代 MOSFE 工藝，3nm 工藝時代，GAAFET 取代 FinFET 工藝，再先進的工藝（比如 2nm 以下），CFET 將取代 GAAFET 工藝。因此，CFET 是 GAAFET 工藝的迭代技術，也稱之為全硅基 CFET 技術。

這對于國內自主發展新型集成電路技術具有重要意義。畢竟，在中企無法獲得先進的 EUV 光刻機下，該技術給予了另一種可行性研究方向。如果一旦成功應用，那么將會繞過 EUV 光刻機的問題，制造出更先進的芯片。

以及 CFET 屬于下一代晶體管技術，是未來發展的重點，該技術的研發有利于我們取得先機。特別是在關鍵技術專利方面，先取得更多的研究成果與專利，對于后期芯片制程的發展是更有利的。